HAD-9610A场效应管测试仪 MOS管测试仪主要术性能
1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。
2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。
3、栅开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。
4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。
5、Gfs跨导测试范围：1—100 。

三、HAD-9610A场效应管测试仪 MOS管测试仪主要测试能
1、率场效应管的击穿电压VDSS、栅开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。
2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
3、率场效应管和IGBT在50A以下的意电流状态下致性的测试，可用于配对。
4、对其它更大电流和率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。
5、各类晶体三管、二管、稳压管击穿电压的测试。
6、压敏电阻电压的测试等。
四、测试盒与测试线
1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的率场效应管和IGBT。
2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的率场效应管和IGBT。
 

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